最新资讯!重大突破！复旦大学异质三维堆叠晶体管技术，可以绕开EUV光刻机

芯片制造领域，复旦大学给我们带来一个好消息，晶体管技术取得重大突破，可以绕开EUV光刻机。

我们都知道，芯片想要获得更好的性能，就必须拥有更多的晶体管，然而在某些特定的使用场景下，例如手机这种小型电子设备中，由于面积有限，所以需要芯片越小越好，那么这就需要在制造工艺上不断的向更小的方向上努力，也就是尽量缩小晶体管的尺寸。

目前，市面上已经量产的最高工艺制程的芯片是4nm，未来1-2年，有望实现3nm，然而这些都是依靠荷兰ASML的EUV光刻机实现在，这对于我们来说是一种遗憾，因为美国的围追堵截，中芯国际直到今天都没能拿到早早订购的EUV光刻机，而复旦大学研发出异质三维叠层互补晶体管技术，也叫CFET技术，可以成功绕开EUV光刻机，这是一个非常好的消息。

近日，复旦大学研究团队周鹏教授、包文中研究员及万景研究员，创新性的设计出了一种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管。

该技术将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，绕过EUV光刻工艺，实现了晶圆级异质CFET技术。

团队利用硅基集成电路的成熟后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上，形成p型硅-n型二硫化钼的异质互补CFET结构。

二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容，大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。同时，两种材料的载流子迁移率接近，器件性能完美匹配，使异质CFET的性能优于传统硅基及其他材料。

结果证明，在相同的工艺节点下，实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。并且，团队还验证了该新型器件在 “全在一”光电探测及气体传感中的应用。

EUV光刻机比较复杂，在现有技术节点下，能够大幅提升集成密度的CFET 技术有着巨大的发挥空间，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。

而复旦大学实现了晶圆级异质 CFET 技术，相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。

其实除了光刻机，晶体管类型也是至关重要，在适当的技术节点，需要选择适当的晶体管技术才可以，例如5nm以上是FinFET，5-3nm是GAAFET，而3nm以下就是CFET了。

并且，CFET属于下一代晶体管技术，有着重要的研究价值，虽然当下我们在制造环节，受限于光刻机设备，但早晚有一天会攻克现有的封锁，所以晶体管技术的研发也必须要与时俱进才行。

复旦大学科研团队研发的异质CFET技术，从技术角度来说，具有很强的先进性，并且对于打破国外在高端半导体制造领域的技术垄断和封锁，有着重要的战略意义。

研发团队还表示，下一步，将继续提升芯片的集成密度，满足高算力处理器，高密度存储器及人工智能等应用的发展需求。

说到这里，真的很希望这种晶体管技术能够早入落地实际应用。当然，这绝非易事，需要上下游企业的通力研发和配合才有可能，芯片制造毕竟不是盖房子，有了砖头和水泥就可以开始建设了。

不管怎样，这种异质CFET技术，让我们在现有的成熟工艺制程下，有机会进一步提升芯片的性能，在无法拿到EUV光刻机的情况下，仍然有机会制造出高性能的成熟工艺制程芯片，在我国半导体产业链的发展中，可以起到很好的缓解作用，非常值得期待。